Результатом работы трех исследовательских групп, а именно команды Samsung (Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)), Кембриджского университета и Ульсанским национальным институтом науки и технологии, стало открытие нового материала — аморфного нитрида бора (a-BN). Данный материал может послужить для производства новейших полупроводников.

Новый материал для полупроводников
Новый материал для полупроводников

Он был произведен из “белого графена” и состоит из атомов бора, имеет толщину структуры в 1 молекулу. Расположены молекулы в формате шестигранника и благодаря этому получено различие между материалами. 

Полученное вещество имеет повышенные механические и электрические свойства и диэлектрическую проницаемость в 1,78. Использовать его планируют в модулях оперативной памяти и постоянной (NAND) памяти, сроки этого пока что неизвестны.

Поделиться ссылкой: